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JMTG080P03A
P沟道增强型功率MOSFET
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- 品牌名称
- JJW(捷捷微)
- 商品型号
- JMTG080P03A
- 商品编号
- C5368948
- 商品封装
- PDFN5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.16902克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12.6mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 33W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 76nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.65nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 486pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
第五代HEXFET采用先进的制造工艺，以实现单位硅片面积尽可能低的导通电阻。这一优势，结合HEXFET功率MOSFET闻名的快速开关速度和坚固耐用的器件设计，为设计人员提供了一种极其高效的器件，可广泛应用于各种领域。 D-PAK封装专为采用气相、红外或波峰焊接技术的表面贴装而设计。直引脚版本（IRFU系列）适用于通孔安装应用。在典型的表面贴装应用中，功率耗散水平可达1.5瓦。
商品特性
- VDS = -30 V,ID = -50 A
- 当VGS = -10 V时,RDS(ON) < 7.8 mΩ
- 当VGS = -4.5 V时,RDS(ON) < 12.6 mΩ
- 先进的沟槽技术
- 出色的RDS(ON)和低栅极电荷
- 产品无铅
应用领域
-PWM应用-负载开关-电源管理