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IRFP240
1个N沟道 耐压:200V 电流:18A
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- 描述
- IRFP240是一款采用先进MOSFET技术制造的硅N沟道增强型MOSFET，该技术可降低导通损耗、改善开关性能并提高雪崩能量。这款晶体管适用于开关电源、高速开关及通用应用。
- 品牌名称
- minos(迈诺斯)
- 商品型号
- IRFP240
- 商品编号
- C5366134
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.84克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 130mΩ@10V,7.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 130W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.32nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 130pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 国际标准封装
- 耐用的PolarP™工艺
- 雪崩额定值
- 快速本征二极管
- 低封装电感
- 易于安装
- 节省空间
- 高功率密度
应用领域
- 高端开关
- 推挽放大器
- 直流斩波器
- 自动测试设备
- 电流调节器