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BUS1DJC3GWZ-E2
单通道超小型高端负载开关
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- 描述
- BUS1DJC0GWZ 和 BUS1DJC3GWZ 是低导通电阻高边功率开关P沟道MOSFET。它们采用超小型封装，适用于便携式数字应用。这些开关IC的工作电压范围为1.1V至5.0V，在3.3V时的典型导通电阻为63 mΩ。设备的开启时间可以控制以避免浪涌电流。
- 品牌名称
- ROHM(罗姆)
- 商品型号
- BUS1DJC3GWZ-E2
- 商品编号
- C5362385
- 商品封装
- XFBGA-4
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.025克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率电子开关 | |
| 类型 | 高侧开关 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入控制逻辑 | 高电平有效 | |
| 工作电压 | 1.1V~5V |
商品概述
BUS1DJC0GWZ和BUS1DJC3GWZ是低导通电阻的高端功率开关P沟道MOSFET。它采用超小型封装，适用于便携式数字应用。该开关IC在1.1V至5.0V的低输入电压范围内工作，在3.3V时的典型导通电阻为63 mΩ。可以控制器件的导通时间，以避免浪涌电流。
商品特性
- P沟道MOSFET高端负载开关
- 低输入电压
- 超低偏置电流
- 超低待机电流
- 内置放电电路
- 内置软启动电路
- 内置短路保护
- 输入逻辑：高电平有效
- 超小型封装
- ESD保护
应用领域
- 数码相机
- 移动电话
- 智能手机
- 便携式设备
- 数码摄像机