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WM02P23M
P沟道MOSFET
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- 描述
- 特性：VDS = -20V，ID = -2.3A。 RDS(on) < 115mΩ @ VGS = -4.5V。 RDS(on) < 145mΩ @ VGS = -2.5V。 低栅极电荷。 沟槽功率低压MOSFET技术
- 品牌名称
- Wayon(上海维安)
- 商品型号
- WM02P23M
- 商品编号
- C5357042
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.041克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 90mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 700mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 400mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3.9nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 270pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 29pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 37pF |
商品概述
采用沟槽MOSFET技术的N沟道增强型场效应晶体管（FET），采用无引脚超小型DFN1006-3（SOT883）表面贴装器件（SMD）塑料封装。
商品特性
- 漏源电压(VDS) = -20 V,漏极电流(ID) = -2.3 A
- 在栅源电压(VGS) = -4.5 V 时,导通电阻(RDS(on)) < 115 mΩ
- 在栅源电压(VGS) = -2.5 V 时,导通电阻(RDS(on)) < 145 mΩ
- 低栅极电荷
- 沟槽功率低压MOSFET技术
应用领域
- 继电器驱动器-高速线路驱动器-低端负载开关-开关电路