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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NX138BKMYL

1个N沟道 耐压:60V 电流:380mA

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描述
N- 沟道增强型场效应晶体管 (FET),采用 Trench MOSFET 技术,采用无引脚超小型 DFN1006-3 (SOT883) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。
品牌名称
Nexperia(安世)
商品型号
NX138BKMYL
商品编号
C5355984
商品封装
SOT-883​
包装方式
编带
商品毛重
0.086克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)380mA
导通电阻(RDS(on))1.8Ω@10V,380mA
耗散功率(Pd)380mW
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1.5V
栅极电荷量(Qg)700pC@10V
输入电容(Ciss)20pF@30V
反向传输电容(Crss)3.1pF
工作温度-55℃~+150℃

商品特性

  • 沟槽式场效应晶体管(TrenchFET)功率MOSFET
  • 便携式设备负载开关
  • 直流-直流(DC/DC)转换器

数据手册PDF