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EPC2302
100V 101A
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- 描述
- 是1.8 mΩ max RDS(on)、100 V eGaN功率晶体管，采用低电感3 x 5 mm QFN封装，顶部外露，便于热管理。适用于40 V–60 V的高频DC-DC应用和48 V BLDC电机驱动。热阻至外壳顶部约为0.2 °C/W，热性能出色，易于散热。采用增强型PQFN “Thermal-Max” 封装
- 品牌名称
- EPC
- 商品型号
- EPC2302
- 商品编号
- C5353503
- 商品封装
- SMD
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 101A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.8mΩ@5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 29nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
商品概述
EPC2302是一款最大RDS(on)为1.8 mΩ、耐压100 V的增强型氮化镓(eGaN)功率晶体管,采用低电感3×5 mm QFN封装,顶部外露,散热性能出色。它专为40 V - 60 V的高频DC - DC应用以及48 V无刷直流(BLDC)电机驱动而设计。 该器件到封装顶部的热阻约为0.2 °C/W,散热性能优异,易于散热。它采用了增强型PQFN “Thermal - Max” 封装。外露的顶部增强了顶部散热管理,可焊侧边确保回流焊过程中整个侧边焊盘表面都能被焊料浸润,保护铜层,并允许在此外侧区域进行焊接,便于光学检测。 与硅MOSFET相比,其15 mm2的占位面积不到同类最佳硅MOSFET的一半,且具有相似的Rds(on)和耐压值,QG和QGD显著更小,QRR为0。这使得开关损耗和栅极驱动损耗更低。此外,EPC2302速度极快,死区时间可小于10 ns,从而提高效率,QRR = 0对可靠性和电磁干扰(EMI)控制非常有利。总之,由于效率提高、尺寸减小以及开关频率更高,可使用更小的电感和更少的电容,EPC2302能够实现最高的功率密度。 EPC2302使设计人员能够提高效率并节省空间。出色的散热性能使散热更容易且成本更低。增强型氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)的超低电容和零反向恢复特性使其能够在多种拓扑结构中高效运行。小尺寸、低电感的占位面积进一步提升了性能。
商品特性
- 耐压100 V
- 典型RDS(on)为1.4 mΩ,最大为1.8 mΩ
- 3×5 mm QFN封装
- 顶部外露,便于顶部散热管理
- 湿度敏感度等级为MSL2
- 增强型Thermal - Max封装
应用领域
- AC - DC充电器、开关电源(SMPS)、适配器、电源
- 输入高达80 V的高频DC - DC转换(降压、升压、升降压和LLC)
- 24 V - 60 V电机驱动
- 40 V - 60 V到5 V - 12 V的高功率密度DC - DC模块
- 同步整流
- 太阳能最大功率点跟踪(MPPT)