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DMT47M2LDVQ-7
双路40V N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 该MOSFET旨在满足汽车应用的严格要求。它符合AEC-Q101标准，有生产件批准程序（PPAP）支持，适用于电机控制、电源管理功能和DC-DC转换器。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMT47M2LDVQ-7
- 商品编号
- C5350293
- 商品封装
- PowerDI-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.087克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10.9mΩ@4.5V；8.4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 14.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 891pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 14.8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 490pF |
商品概述
这款MOSFET旨在最大程度降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 低RDS(ON)——确保导通损耗最小化
- 小尺寸、热效率高的封装，可实现更高密度的终端产品
- 仅占用SO - 8封装33%的电路板面积，可使终端产品更小
- 完全无铅，完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑，是“绿色”器件
- 通过AEC - Q101标准认证，可靠性高
应用领域
- 背光照明-电源管理功能-DC-DC转换器
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