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EM638325TS-6G
高速CMOS同步DRAM，内置流水线架构，具备可编程模式和突发停止功能
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- 品牌名称
- ETRON(钰创)
- 商品型号
- EM638325TS-6G
- 商品编号
- C5344834
- 商品封装
- TSOPII
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
EM638325 SDRAM是一款高速CMOS同步动态随机存取存储器，容量为64 Mbits。它内部配置为四个512K x 32的DRAM，具有同步接口（所有信号在时钟信号CLK的上升沿进行寄存）。每个512K x 32位的存储体被组织为2048行、256列、32位。对SDRAM的读写访问是突发式的；访问从选定位置开始，并按照编程的顺序连续访问编程数量的位置。访问从BankActivate命令的寄存开始，随后是读或写命令。
EM638325支持可编程的读或写突发长度，可选1、2、4、8或整页，并有突发终止选项。可以启用自动预充电功能，在突发序列结束时启动自定时行预充电。刷新功能（自动刷新或自刷新）易于使用。通过可编程模式寄存器，系统可以选择最合适的模式以最大化其性能。这些器件非常适合需要高内存带宽的应用。
商品特性
- 快速访问时间：5/5.4/5.4 ns
- 快速时钟频率：200/166/143 MHz
- 完全同步操作
- 内部流水线架构
- 四个内部存储体（512K x 32位 x 4个存储体）
- 可编程模式 - CAS延迟：2或3
- 突发长度：1、2、4、8或整页
- 突发类型：顺序或交错
- 突发读 - 单写
- 突发停止功能
- 由DQM0 - 3控制单个字节
- 自动刷新和自刷新
- 环境温度：0~70 °C
- 4096次刷新周期/64ms
- 单+3.3V ± 0.3V电源
- 接口：LVTTL
- 86引脚400 x 875密耳塑料TSOP II封装 - 无铅和无卤素
- 90球8 x 13 x 1.2mm FBGA封装 - 无铅和无卤素