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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 50V | |
| 连续漏极电流(Id) | 305mA | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 2.5Ω@2.5V,50mA | |
| 功率(Pd) | 250mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 400pC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 50pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 5pF@25V | |
| 工作温度 | -65℃~+150℃ |
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(3000个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个3000个/圆盘
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