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IMBG120R220M1HXTMA1
IMBG120R220M1HXTMA1
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- 描述
- 特性：极低的开关损耗。 短路耐受时间3μs。 完全可控的dV/dt。 基准栅极阈值电压，VGS(th)=4.5V。 抗寄生导通能力强，可施加0V关断栅极电压。 用于硬换流的稳健体二极管。应用：驱动器。 基础设施-充电器
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IMBG120R220M1HXTMA1
- 商品编号
- C5342192
- 商品封装
- TO-263-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A | |
| 耗散功率(Pd) | 83W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.4nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 312pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 14pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 220mΩ |