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SL30N02D
1个N沟道 耐压:30V 电流:150A
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- 描述
- 这些 N 沟道增强型功率 MOSFET 采用先进的沟槽技术设计，具备出色的导通电阻（Rdson）和低栅极电荷，符合 RoHS 标准。
- 品牌名称
- Slkor(萨科微)
- 商品型号
- SL30N02D
- 商品编号
- C5330391
- 商品封装
- TO-252(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.45克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 150A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.4mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 70W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.82nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 330pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 出色的开关时间：导通时间 t_on = 14 ns（典型值）
- 高正向传输导纳：|Y_fs| = 100 ms（最小值）
- 低导通电阻：在 ID = 50 mA 时，RDS (ON) = 0.6 Ω（典型值）
- 增强型
- 与 2SJ168 互补
应用领域
- 高速开关应用
- 模拟开关应用
- 接口应用