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LTC1982ES6#TRMPBF
采用 SOT-23 封装的单通道和双通道微功率高端开关控制器
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- 描述
- 是低功率、独立的N沟道MOSFET驱动器。内部电压三倍器允许在不使用任何外部组件的情况下驱动栅极。内部调节电路使栅极充电后每个驱动器的静态电流降至10μA（LTC1981为20μA）。低静态电流和低关断电流（低于1μA）使这些部件非常适合电池和其他功率受限的系统。宽输入电压范围可适应各种电池/输入配置。栅极驱动内部钳位至7.5V，为外部MOSFET栅极提供保护。MOSFET可以在高端或低端模式下驱动。单驱动器版本LTC1981还包括一个栅极驱动就绪引脚，驱动电流容量是双驱动器LTC1982的两倍。LTC1981采用5引脚SOT-23封装。LTC1982采用6引脚SOT-23封装。
- 品牌名称
- ADI(亚德诺)
- 商品型号
- LTC1982ES6#TRMPBF
- 商品编号
- C580471
- 商品封装
- TSOT-23-6L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.047606克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 高边；低边 | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | - | |
| 工作电压 | 1.8V~5.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 上升时间(tr) | 110us | |
| 下降时间(tf) | 12us | |
| 传播延迟 tpLH | 110us | |
| 传播延迟 tpHL | 12us | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |
商品概述
LTC1981/LTC1982是低功耗、独立式N沟道MOSFET驱动器。内部电压三倍器可在不使用任何外部元件的情况下驱动栅极。一旦栅极充电完成，内部调节电路可使每个驱动器的静态电流降至10µA（LTC1981为20µA）。 低静态电流和低关断电流（低于1µA）使这些器件非常适合电池供电和其他功率受限的系统。较宽的输入电压范围可适应各种电池/输入配置。 栅极驱动内部钳位至7.5V，为外部MOSFET栅极提供保护。MOSFET可在高端或低端模式下驱动。 单驱动器版本的LTC1981还设有一个栅极驱动就绪引脚，其驱动电流容量是双驱动器LTC1982的两倍。 LTC1981采用5引脚SOT - 23封装，LTC1982采用6引脚SOT - 23封装。
商品特性
- 无需外部元件
- 内部电压三倍器为逻辑电平FET提供高端栅极驱动
- 超低功耗：每个驱动器导通电流为10μA（LTC1982），导通电流为2μA（LTC1981），关断电流<1μA
- VCC范围：1.8至5V
- 关断期间栅极驱动输出接地
- 栅极驱动输出内部钳位至最大7.5V
- “栅极驱动就绪”输出（LTC1981）
- 超小型应用电路
- 5引脚SOT - 23封装（LTC1981）
- 6引脚SOT - 23封装（LTC1982）
应用领域
- 蜂窝电话
- 便携式销售点终端
- 手持式电池供电设备