ADG1219BRJZ-REEL7
低电容、低电荷注入iCMOS单刀双掷开关
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- 描述
- ADG1219是一款单片iCMOS设备,包含一个单刀双掷开关。EN输入用于启用或禁用设备。当禁用时,所有通道都关闭。开启时,每个通道在两个方向上都能良好导通,并且输入信号范围延伸到供电电压。
- 品牌名称
- ADI(亚德诺)
- 商品型号
- ADG1219BRJZ-REEL7
- 商品编号
- C579007
- 商品封装
- SOT-23-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.05克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 模拟开关/多路复用器 | |
| 开关电路 | 2:1 | |
| 通道数 | 1 | |
| 工作电压 | 13.5V~16.5V;10.8V~13.2V | |
| 导通时间(ton) | 85ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(Ron) | 120Ω | |
| 关闭时间(toff) | 105ns | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 带宽 | 520MHz |
商品概述
ADG1219是一款单片iCMOS器件,包含一个单刀双掷(SPDT)开关。使能(EN)输入用于开启或禁用该器件。禁用时,所有通道均断开;开启时,每个通道在两个方向上的导通性能相同,且输入信号范围可扩展至电源电压。每个开关均具有先断后通的切换动作。
iCMOS(工业互补金属氧化物半导体)模块化制造工艺结合了高压互补金属氧化物半导体(CMOS)和双极技术。它能够开发出一系列高性能模拟集成电路,可在33 V电压下工作,且占用空间是其他任何一代高压器件都无法比拟的。与采用传统CMOS工艺的模拟集成电路不同,iCMOS组件能够承受高电源电压,同时提高性能、显著降低功耗并减小封装尺寸。
这些多路复用器的超低电容和极低电荷注入特性,使其成为数据采集和采样保持应用的理想解决方案,这些应用需要低毛刺和快速稳定。iCMOS结构还确保了超低功耗,使这些器件非常适合便携式和电池供电的仪器。
商品特性
- 全信号范围内电荷注入<0.5 pC
- 关断电容2.5 pF
- 低泄漏电流;85℃时最大0.6 nA
- 导通电阻120 Ω
- 在+12 V、±15 V下全面规格化
- 单电源供电
- 3 V逻辑兼容输入
- 轨到轨操作
- 8引脚SOT - 23封装
应用领域
- 自动测试设备
- 数据采集系统
- 电池供电系统
- 采样保持系统
- 音频/视频信号路由
- 通信系统
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘,最小起订量 1 个)个
起订量:1 个3000个/圆盘
总价金额:
¥ 0.00近期成交12单
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