SCM1200B33H
SCM1200B33H
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- 描述
- 拓扑结构:半桥 类型:N沟道 SiC MOSFET功率模块 漏源电压(Vdss):3.3kV 连续漏极电流(Id):1200A 描述:应用于中高压逆变器、SVG、SST 固态变压器及高压直流供电等
- 品牌名称
- SUPSiC(国晶微半导体)
- 商品型号
- SCM1200B33H
- 商品编号
- C56307769
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
参数完善中
SCM1200B33H
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