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SCM1200B33H实物图
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SCM1200B33H

SCM1200B33H

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描述
拓扑结构:半桥 类型:N沟道 SiC MOSFET功率模块 漏源电压(Vdss):3.3kV 连续漏极电流(Id):1200A 描述:应用于中高压逆变器、SVG、SST 固态变压器及高压直流供电等
商品型号
SCM1200B33H
商品编号
C56307769
包装方式
托盘
商品毛重
1克(g)

商品参数

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参数完善中

数据手册PDF

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