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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 600mΩ@10V,3.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 36W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13.6nC@520V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 462pF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 11.7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 在VGS = 10V、ID = 3.5A条件下,RDS(导通) = 0.6 Ω(最大值)
- 高压器件采用新技术
- 低导通电阻
- 快速开关
应用领域
- 功率因数校正(PFC)
- 开关模式电源(SMPS)
- 不间断电源(UPS)
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