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温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

XD006H060CX1H3

XD006H060CX1H3

品牌名称
XDM(芯达茂)
商品型号
XD006H060CX1H3
商品编号
C5301878
商品封装
TO-220F-3L​
包装方式
管装
商品毛重
2.9克(g)

    商品参数

    属性参数值
    商品目录IGBT管/模块
    IGBT类型-
    集射极击穿电压(Vces)600V
    集电极电流(Ic)6A
    耗散功率(Pd)89W
    集射极饱和电压(VCE(sat))1.75V@6A,15V
    属性参数值
    栅极阈值电压(Vge(th))3.9V@200uA
    栅极电荷量(Qg)11.5nC@6A,15V
    输入电容Cies)313pF@25V
    开启延迟时间(Td(on))3ns
    关断延迟时间(Td(off))18ns
    反向恢复时间(Trr)230ns

    商品概述

    这款MOSFET旨在最小化导通电阻 RDS(on)，同时保持卓越的开关性能，使其非常适合高效电源管理应用。

    商品特性

    • 在VGS = 10V、ID = 2A条件下,RDS(导通电阻)最大值为2.92Ω
    • 低栅极电荷
    • 低输入电容(Ciss)
    • 快速开关

    应用领域

    -LED电源-手机充电器-备用电源