商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 智能功率模块(IPM) | |
| 类型 | MOSFET | |
| 配置 | 半桥 | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 55A | |
| 工作电压 | 4.5V~5.5V | |
| 高侧偏置电压(Vbs) | - | |
| 开关频率 | 2MHz |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 隔离电压(Vrms) | - | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 静态电流(Iq) | - | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 长度 | 5mm | |
| 宽度 | 5mm | |
| 功能特性 | - |
商品概述
AOZ5016QI 是一款高效率同步降压功率级模块,集成了两个非对称 MOSFET 和一个驱动器。MOSFET 针对同步降压配置进行了单独优化。高边 MOSFET 经过优化,具有低电容和低栅极电荷,以实现快速开关和低占空比运行。低边 MOSFET 具有超低导通电阻,以最小化传导损耗。该模块采用 PWM 输入以精确控制功率 MOSFET 的开关活动,兼容 5V CMOS 逻辑电平并支持三态 PWM。模块集成了多种功能,使其成为高度通用的功率模块。自举二极管集成在驱动器中。低边 MOSFET 可被驱动至二极管仿真模式,以提供异步操作并改善轻载性能。引脚排列也经过优化,以降低寄生效应,将其影响降至最低。
商品特性
- 4.5V 至 25V 电源电压范围
- 4.5V 至 5.5V 驱动器电源电压范围
- 55A 连续输出电流 - 10ms 脉冲下可达 80A - 10us 脉冲下可达 120A
- 开关频率最高可达 2MHz
- 兼容 5V PWM 和三态输入
- 欠压锁定保护
- 用于二极管仿真/连续导通模式运行的强制连续导通模式控制
- 标准 5mm × 5mm QFN-31L 封装
应用领域
- 内存和显卡
- 主板电压调节模块
- 负载点直流/直流转换器
- 视频游戏机
- VSMY12850
- BSMD1812-350-16V
- CHT13
- B2415XT-1WR3
- 2125281000
- XD028M050BX1S3
- M55-7102042R
- SCS-41T-2.3
- 08R-JED(LF)(SN)
- 16R-JED(LF)(SN)
- S12B-JL-F-E(LF)(SN)
- 20P5.0-JMCS-G-B-TF(N)
- 40PS-JMDSS-G-1-TF(LF)(SN)
- 30PS-JMDSS-G-1-TF(LF)(SN)
- 40R-JMDSS-G-1-TF(S)(LF)(SN)
- 09JQ-BT
- 07JQ-ST
- SFT-61T-250N
- 12FDZ-ST(S)(LF)(SN)
- 50FHH-SM1-GAN-TF(LF)(SN)
- 60FHH-SM1-GAN-TF(LF)(SN)


