商品参数
参数完善中
商品概述
该器件是一款高耐用性N沟道增强型横向LDMOS射频功率晶体管,设计用于高VSWR工业、医疗、广播和移动无线电应用,其输入输出设计支持1.8 MHz至512 MHz的工作频率范围。MRFX035H为1.8-512 MHz、35 W CW、65 V宽带射频功率LDMOS晶体管,封装型号为NI-360H-2SB,封装背面为晶体管的源极。
商品特性
- 输入输出设计支持宽频率范围利用
- 原生50 Ω输出阻抗
- 经认证可在最高65 VDD电压下工作
- 在30 V至65 V电压范围内完成特性表征,支持扩展功率范围
- 高击穿电压,可提升可靠性
- 配合合适偏置可适用于线性应用
- 集成ESD保护,具有更大的栅源负电压范围,可改善C类工作性能
- 纳入NXP产品寿命计划,可保证产品推出后最少15年的供应
应用领域
- 工业、科学、医疗(ISM)
- 激光产生
- 等离子体产生
- 粒子加速器
- MRI、射频消融和皮肤治疗
- 工业加热、焊接和干燥系统
- 无线电和VHF电视广播
- 移动无线电
- HF和VHF通信
- PMR基站


