商品参数
参数完善中
商品概述
这些N沟道功率MOSFET采用创新的UltraFET工艺制造。这种先进的工艺技术可在单位硅片面积上实现尽可能低的导通电阻，从而带来卓越的性能。该器件能够在雪崩模式下承受高能量，其二极管具有极短的反向恢复时间和极少的存储电荷。它专为对电源效率要求较高的应用而设计，如开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器、低压总线开关，以及便携式和电池供电产品的电源管理。
商品特性
- 15A，55V
- 仿真模型
- 温度补偿PSPICE和SABER模型
- 可在网上获取SPICE和SABER热阻抗模型
- 峰值电流与脉冲宽度曲线
- UIS额定曲线
- TB334，“表面贴装元件焊接到印刷电路板的指南”
应用领域
- 开关稳压器-开关转换器-电机驱动器-继电器驱动器-低压总线开关-便携式和电池供电产品的电源管理