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- 对比
MDD12N65F
1个N沟道 耐压:650V 电流:12A
- 描述
- 应用：适配器，充电器、LED驱动、PFC电路
- 品牌名称
- MDD(辰达半导体)
- 商品型号
- MDD12N65F
- 商品编号
- C5299407
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.52克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 640mΩ@10V,6A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 42W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 41.9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 2nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 7.4pF@25V |
梯度价格
梯度
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