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MDD7N65F
1个N沟道 耐压:650V 电流:7A
- 描述
- 应用：适配器，充电器、LED驱动、PFC电路
- 品牌名称
- MDD(辰达半导体)
- 商品型号
- MDD7N65F
- 商品编号
- C5299405
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.56克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.4Ω@10V,3.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 100W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20.7nC | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 1.09nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 6.1pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
梯度价格
梯度
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50+￥1.4096￥70.48
150+￥1.2443￥62.21
500+￥1.0382￥51.91
2000+￥0.9464￥47.32
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