SLM2005ECA-DG
200V半桥驱动器
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- 描述
- 200V半桥,Vo:10-20V,HI/LI正逻辑,DT:110ns,高边9V,低边5V欠压保护
- 品牌名称
- Sillumin(数明半导体)
- 商品型号
- SLM2005ECA-DG
- 商品编号
- C5298378
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.18克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 负载类型 | MOSFET;IGBT | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 1A | |
| 拉电流(IOH) | 1.5A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电压 | 10V~18V | |
| 上升时间(tr) | 25ns | |
| 下降时间(tf) | 10ns | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ |
商品概述
SLM2005E是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有独立的高端和低端参考输出通道。专有的高压集成电路(HVIC)和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或低功耗肖特基TTL(LSTTL)输出兼容,最低支持3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,旨在最大程度减少驱动器的交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中的N沟道功率MOSFET或IGBT,最高工作电压可达200V。
商品特性
- 浮动通道专为自举操作而设计
- 最高可在+200V下完全正常工作
- 耐受负瞬态电压,抗dV/dt干扰
- 栅极驱动电源范围为10V至18V
- 欠压锁定功能
- 与3.3V、5V逻辑兼容
- 交叉导通预防逻辑
- 双通道的传播延迟匹配
- 内部设置死区时间
- 高端/低端输出与HIN/LIN输入同相
- 符合RoHS标准的SOP8封装
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- A2541HWV-2x6P
- A2541HWV-6P
- 2LC15SF019
- 1.5-10(160130015010)
- 1/16-3/8(160130050030)
- 1.5-6(160135015006)
- 1.5-10(160140015010)
- 1/16-3/8(160140050030)
- 1.5(160215015000)
- 2.0(160215020000)
- 2.5(160215025000)
- 3.0(160215030000)
- 4.0(160215040000)
