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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

SLM2005ECA-DG

200V半桥驱动器

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描述
200V半桥,Vo:10-20V,HI/LI正逻辑,DT:110ns,高边9V,低边5V欠压保护
商品型号
SLM2005ECA-DG
商品编号
C5298378
商品封装
SOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.18克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录栅极驱动芯片
驱动配置半桥
负载类型MOSFET;IGBT
驱动通道数2
灌电流(IOL)1A
拉电流(IOH)1.5A
属性参数值
工作电压10V~18V
上升时间(tr)25ns
下降时间(tf)10ns
特性欠压保护(UVP)
工作温度-40℃~+125℃

商品概述

SLM2005E是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有独立的高端和低端参考输出通道。专有的高压集成电路(HVIC)和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或低功耗肖特基TTL(LSTTL)输出兼容,最低支持3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,旨在最大程度减少驱动器的交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中的N沟道功率MOSFET或IGBT,最高工作电压可达200V。

商品特性

  • 浮动通道专为自举操作而设计
  • 最高可在+200V下完全正常工作
  • 耐受负瞬态电压,抗dV/dt干扰
  • 栅极驱动电源范围为10V至18V
  • 欠压锁定功能
  • 与3.3V、5V逻辑兼容
  • 交叉导通预防逻辑
  • 双通道的传播延迟匹配
  • 内部设置死区时间
  • 高端/低端输出与HIN/LIN输入同相
  • 符合RoHS标准的SOP8封装

数据手册PDF