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RU1H35R实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

RU1H35R

1个N沟道 耐压:100V 电流:40A

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商品型号
RU1H35R
商品编号
C576071
商品封装
TO-220​
包装方式
管装
商品毛重
2.82克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)40A
导通电阻(RDS(on))21mΩ@10V,16A
耗散功率(Pd)111W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3V
栅极电荷量(Qg)44nC@10V
输入电容(Ciss)-
反向传输电容(Crss)115pF@25V
工作温度-

商品特性

  • 100V/40A,在VGS = 10 V时,RDS(ON) = 21 mΩ(典型值)
  • 超高密度单元设计
  • 100%雪崩测试
  • 提供无铅和环保器件(符合RoHS标准)

应用领域

  • 开关应用

数据手册PDF