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WSD30L50DN33
WSD30L50DN33
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- 描述
- 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：-30V 连续漏极电流(Id)：-55A 功率(Pd)：80W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：7.7mΩ@-10V,-15A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：-2.2V@250uA
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WSD30L50DN33
- 商品编号
- C56136017
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.142克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 55A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 80W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 80nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 3.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 390pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 450pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |