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氮化镓晶体管(GaN HEMT)
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描述
氮化镓具有极高的电子迁移率和低温系数,可实现极低的RDS(on),而其横向器件结构和多数载流子二极管则提供极低的QG和零QRR。最终结果是该器件能够处理非常高开关频率和低导通时间有益的任务,以及导通状态损耗占主导的任务。
品牌名称
EPC
商品型号
EPC2203
商品编号
C5291299
商品封装
BGA-4
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)
数据手册
商品参数
资料纠错
参数完善中
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