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AONR21307

AONR21307

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描述
ID:32A,VDSS:30V,RDON:10mR,VGS:±25V,TYPE:P沟道,
商品型号
AONR21307
商品编号
C56055701
商品封装
DFN-8L(3x3)​
包装方式
编带
商品毛重
0.1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)32A
导通电阻(RDS(on))10mΩ@10V
耗散功率(Pd)3.57W
阈值电压(Vgs(th))1.95V
栅极电荷量(Qg)12.5nC
属性参数值
输入电容(Ciss)1.345nF
反向传输电容(Crss)158pF
工作温度-55℃~+150℃
配置-
类型P沟道
输出电容(Coss)194pF
栅极电压(Vgs)±25V

数据手册PDF