温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SE0108A
N沟道增强型功率MOSFET
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- SE0108A SOT-89采用先进的沟槽技术和设计，可提供出色的导通电阻 (RDS(ON)) 和低栅极电荷。它适用于各种应用。
- 品牌名称
- SINO-IC(光宇睿芯)
- 商品型号
- SE0108A
- 商品编号
- C5272817
- 商品封装
- SOT-89
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.15克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 135mΩ@10V,5A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15.5nC@30V | |
| 输入电容(Ciss) | 690pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 90pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
IRLML2244TR采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻（R_DS(on)）和低栅极电荷。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = -20 V
- 导通电阻（RDS(ON)） < 54 mΩ（栅源电压VGS = 4.5 V）
- 导通电阻（RDS(ON)） < 95 mΩ（栅源电压VGS = 2.5 V）