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SE0108A
N沟道增强型功率MOSFET
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- 描述
- SE0108A SOT-89采用先进的沟槽技术和设计，可提供出色的导通电阻 (RDS(ON)) 和低栅极电荷。它适用于各种应用。
- 品牌名称
- SINO-IC(光宇睿芯)
- 商品型号
- SE0108A
- 商品编号
- C5272817
- 商品封装
- SOT-89
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.15克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 135mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15.5nC@30V | |
| 输入电容(Ciss) | 690pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 90pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
SE0108A SOT-89采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 高密度单元设计,实现超低导通电阻
- 具备完整的雪崩电压和电流特性
- 出色的封装,散热性能良好
应用领域
- 电源开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源