A1P35S12M3
A1P35S12M3
- 描述
- ACEPACK1 Sixpack拓扑，1200 V、35 A，沟槽栅场截止IGBT M系列，软二极管和NTC
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- A1P35S12M3
- 商品编号
- C5268134
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV | |
| 集电极电流(Ic) | 35A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 250W | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | - | |
| 输入电容(Cies) | 2.154nF@25V | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃@(Tj) |