CY62256NLL-55SNXI
CY62256NLL-55SNXI
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- 品牌名称
- Alliance Memory
- 商品型号
- CY62256NLL-55SNXI
- 商品编号
- C5264407
- 商品封装
- SOIC-28-300mil
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.058克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) | |
| 接口类型 | 并口(Parallel) | |
| 存储容量 | 256Kbit | |
| 工作电压 | 4.5V~5.5V | |
| 读写时间 | 55ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 工作电流 | 50mA | |
| 待机电流 | 10uA | |
| 功能特性 | 自动掉电功能 |
商品概述
CY62256N是一款高性能CMOS静态随机存取存储器，组织为32K字×8位。通过低电平有效芯片使能（CE）、低电平有效输出使能（OE）和三态驱动器实现轻松的内存扩展。该器件具有自动掉电功能，在未选中时可将功耗降低99.9%。低电平有效写使能信号（WE）控制存储器的读写操作。当CE和WE输入均为低电平时，八个数据输入/输出引脚（I/O₀至I/O₇）上的数据被写入由地址引脚（A₀至A₁₄）上地址指定的存储位置。读取器件时，选中器件并使能输出，CE和OE为低电平，而WE保持无效或高电平。在这些条件下，地址引脚上信息所指定位置的内容会出现在八个数据输入/输出引脚上。除非芯片被选中、输出被使能且写使能（WE）为高电平，否则输入/输出引脚保持高阻抗状态。
商品特性
- 温度范围：商业级0℃至+70℃；工业级-40℃至+85℃；汽车A类-40℃至+85℃；汽车E类-40℃至+125℃
- 高速：55 ns
- 电压范围：4.5 V至5.5 V工作
- 低有源功耗，最大275 mW
- 低待机功耗（LL版本），最大82.5 μW
- 通过CE和OE功能轻松进行内存扩展
- TTL兼容输入和输出
- 未选中时自动掉电
- 采用CMOS技术以实现最佳速度和功耗
- 提供无铅和含铅的28引脚（600密耳）PDIP、28引脚（300密耳）窄SOIC、28引脚TSOP I和28引脚反向TSOP I封装