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G2K3N10G实物图
G2K3N10G商品缩略图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

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G2K3N10G

1个N沟道 耐压:100V 电流:2.5A

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品牌名称
GOFORD(谷峰)
商品型号
G2K3N10G
商品编号
C5258992
商品封装
SOT-89
包装方式
编带
商品毛重
0.113克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)2.5A
导通电阻(RDS(on))230mΩ@4.5V,1A
耗散功率(Pd)1.5W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1.5V
栅极电荷量(Qg)13nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)436pF
反向传输电容(Crss)9pF@50V
工作温度-55℃~+150℃

梯度价格

梯度
售价
折合1圆盘
5+¥0.2901
50+¥0.2831
150+¥0.2785
500+¥0.2739¥273.9

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