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GKC65R032HE

GKC65R032HE

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描述
碳化硅二极管具有高耐压、高开关速度、低导通电阻等特点,适用于高温、高频、大功率等恶劣环境下的电子设备。
商品型号
GKC65R032HE
商品编号
C55651193
商品封装
TO-247-3​
包装方式
管装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量-
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)84A
导通电阻(RDS(on))-
耗散功率(Pd)694W
阈值电压(Vgs(th))4V
栅极电荷量(Qg)167.3nC
属性参数值
输入电容(Ciss)8.51301nF
反向传输电容(Crss)4.64pF
工作温度-55℃~+150℃
配置-
类型-
输出电容(Coss)275.55pF
栅极电压(Vgs)±30V

数据手册PDF

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