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WTM20N65AMP
1个N沟道 耐压:650V 电流:20A
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- 描述
- N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：20A 功率(Pd)：150W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：170mΩ@10V,5.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2V@250uA
- 品牌名称
- WPMtek(维攀)
- 商品型号
- WTM20N65AMP
- 商品编号
- C5252678
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.37克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 170mΩ@10V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | 34W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 38.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.724nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6pF@100V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款功率MOSFET采用先进的超结MOSFET技术制造。该先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关模式电源。
商品特性
- 20A、650V，VGS = 10 V时RDS(on) = 190mΩ
- 低栅极电荷（典型值Qg = 30.2nC）
- 超高耐用性
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
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