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FDN352AP(UMW)
1个P沟道 耐压:30V 电流:1.3A
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- 描述
- 特性：这些器件非常适合用于需要低在线功率损耗的低压和电池供电应用，采用非常小的外形表面贴装封装。 VDSS(V) = 30V。 ID(VGS = -10V) = -1.3A。 RDSS(O)(VGS = -10V) ≤ 180mΩ。 RDSS(O)(VGS = -4.5V) ≤ 300mΩ。应用：笔记本电脑电源管理
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- FDN352AP(UMW)
- 商品编号
- C5252441
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.042克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 150mΩ@10V；250mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 150pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 40pF |