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ES1D R3G

耐压:200V 电流:1A 反向恢复时间：35ns

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描述
耐压:200V 电流:1A 反向恢复时间：35ns
品牌名称
Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
商品型号
ES1D R3G
商品编号
C5252335
商品封装
SMA(DO-214AC)​
包装方式
编带
商品毛重
0.108克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录快恢复/高效率二极管
二极管配置1个独立式
正向压降(Vf)950mV@1A
直流反向耐压(Vr)200V
整流电流1A
属性参数值
反向电流(Ir)5uA@200V
反向恢复时间(Trr)35ns
工作结温范围-55℃~+150℃
非重复峰值浪涌电流 (Ifsm)30A

数据手册PDF

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