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RV2C010UNT2L
1个N沟道 耐压:20V 电流:1A
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- 描述
- 特性：低导通电阻。 高功率小尺寸封装（VML1006）。 无铅镀铅，符合RoHS标准。 无卤。 ESD保护高达200V（机器模型），高达2kV（人体模型）。应用：开关
- 品牌名称
- ROHM(罗姆)
- 商品型号
- RV2C010UNT2L
- 商品编号
- C570828
- 商品封装
- X2-DFN1006-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.083克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 470mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 400mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 40pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 低导通电阻
- 高功率小尺寸封装(VML1006)
- 无铅引脚镀层;符合 RoHS 标准
- 无卤
- 高达 200V(机器模型,MM)的静电放电(ESD)保护
- 高达 2kV(人体模型,HBM)的静电放电(ESD)保护
应用领域
-开关应用