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ZXGD3114N7TC
600V ACTIVE OR'ING FET CONTROLLER
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- 描述
- ZXGD3114N7是一款600V有源或门MOSFET控制器，旨在驱动极低RDS(ON)功率MOSFET，使其作为理想二极管工作。这可替代标准整流器，以降低正向压降并全面提高功率传输效率。ZXGD3114N7可用于轨电压高达±600V的高端和低端电源单元(PSU)。由于关断阈值仅为 -3mV，容差为±2mV，它能使极低RDS(ON)的MOSFET作为理想二极管工作。在典型的48V配置中，由于低静态电源电流<1mA，待机功耗<50mW。在电源单元出现故障时，或门控制器会检测到功率下降，并在<600ns内迅速关断MOSFET，以阻止反向电流流动，避免公共总线电压下降。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- ZXGD3114N7TC
- 商品编号
- C5249286
- 商品封装
- SOIC-7
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.175473克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率电子开关 | |
| 通道数 | 1 | |
| 工作电压 | 4V~20V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻 | - | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ |
商品概述
ZXGD3114N7是一款600V有源或门MOSFET控制器，旨在驱动极低RDS(ON)功率MOSFET，使其作为理想二极管工作。这可替代标准整流器，以降低正向压降并全面提高功率传输效率。 ZXGD3114N7可用于轨电压高达±600V的高端和低端电源单元(PSU)。由于关断阈值仅为 -3mV，容差为±2mV，它能使极低RDS(ON)的MOSFET作为理想二极管工作。在典型的48V配置中，由于低静态电源电流<1mA，待机功耗<50mW。在电源单元出现故障时，或门控制器会检测到功率下降，并在<600ns内迅速关断MOSFET，以阻止反向电流流动，避免公共总线电压下降。
商品特性
- 适用于高端或低端电源单元的有源或门MOSFET控制器
- 理想二极管，可降低正向压降
- 典型关断阈值为 -3mV，容差为±2mV
- 漏极电压额定值为600V
- VCC额定值为25V
- 静态电源电流<1mA时，待机功率<50mW
- 关断时间<600ns，可将反向电流降至最低
- 完全无铅，完全符合RoHS标准，无卤素和锑。“绿色”器件
应用领域
- (N + 1)冗余电源
- 电信和网络
- 数据中心和服务器