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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 数字晶体管 | |
| 数量 | 1个NPN,1个PNP-预偏置 | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
| 集电极电流(Ic) | 100mA | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW | |
| 直流电流增益(hFE) | 100 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 最小输入电压(VI(on)) | 1.4V | |
| 最大输入电压(VI(off)) | 500mV | |
| 输出电压(VO(on)) | 100mV | |
| 电阻比率 | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 外延平面芯片结构
- 内置偏置电阻
- 完全无铅且完全符合 RoHS 标准
- 无卤素和锑，“绿色”器件