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DSS3540M-7B
低饱和晶体管 PNP 电流:500mA 电压:40V
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- 描述
- 特性：BVCEO >-40V。 集电极电流高：IC =-500mA。 峰值脉冲电流：ICM =-1A。 功耗：PD = 1000mW。 集电极-发射极饱和电压低。 封装尺寸：0.60mm²，比SOT23小13倍。 封装高度：0.5mm，减少板外轮廓。 互补NPN型。 完全无铅，完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 该部件符合JEDEC标准，可靠性高
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DSS3540M-7B
- 商品编号
- C5245592
- 商品封装
- DFN-3(1x0.6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.005333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 集电极电流(Ic) | 500mA | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 40V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 直流电流增益(hFE) | 150@100mA,2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | 100MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 200mV | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 6V |