嘉立创上市
购物车0
XM6N70D实物图
  • XM6N70D商品缩略图
  • 引脚图
  • 焊盘图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

XM6N70D

增强型MOSFET 1个N沟道 耐压:700V 电流:6A

SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
描述
VDS=700V,ID=6A,RDS(on):1.5Ω(Typ)@VGS=10V
品牌名称
XUMAO(旭茂微)
商品型号
XM6N70D
商品编号
C55520765
商品封装
TO-252-3L​
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量-
漏源电压(Vdss)700V
连续漏极电流(Id)6A
导通电阻(RDS(on))1.5Ω@10V
耗散功率(Pd)40W
阈值电压(Vgs(th))4V
栅极电荷量(Qg)18nC
属性参数值
输入电容(Ciss)660pF
反向传输电容(Crss)9pF
工作温度-55℃~+150℃
配置-
类型-
输出电容(Coss)72pF
栅极电压(Vgs)±30V

数据手册PDF

放大查看下载PDF