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WSR180N08
1个N沟道 耐压:85V 电流:180A
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- 描述
- WSR180N08是一款高性能沟槽N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSR180N08符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过抗雪崩能力（EAS）测试，且通过了全功能可靠性认证。
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WSR180N08
- 商品编号
- C5242050
- 商品封装
- TO-220AB-3L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.68克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 85V | |
| 连续漏极电流(Id) | 180A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.2mΩ@10V,40A | |
| 耗散功率(Pd) | 250W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 95nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.75nF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 258pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 945pF |
商品概述
ATM10N65TF是一款高压功率MOSFET，采用先进的沟槽MOSFET设计，具备更佳的特性，如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻和高抗雪崩特性。该功率MOSFET通常用于开关电源和适配器的高速开关应用。
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 5 A条件下，RDS(ON) < 1.0 Ω
- 快速开关能力
- 经过雪崩能量测试
- 改善的dv/dt能力，高抗扰性