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BMTO10N140
BMTO10N140
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- 品牌名称
- BORN(伯恩半导体)
- 商品型号
- BMTO10N140
- 商品编号
- C55497940
- 商品封装
- TOLL
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.253138克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 108V | |
| 连续漏极电流(Id) | 326A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.15mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 250W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 161nC | |
| 输入电容(Ciss) | 12.54nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 153pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 3.85nF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |