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MMDT3052DW
NPN 电流:200mA 电压:50V
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- 描述
- 特性：每个晶体管元件相互独立。应用：低频放大应用
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- MMDT3052DW
- 商品编号
- C5240636
- 商品封装
- SOT-363
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.033克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 集电极电流(Ic) | 200mA | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW | |
| 直流电流增益(hFE) | 240 | |
| 特征频率(fT) | 200MHz |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 300mV | |
| 工作温度 | - | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 6V | |
| 数量 | 2个NPN | |
| 配置 | 独立式 |