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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 250V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 560mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 33W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 370pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.2pF | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ |
商品概述
AON7458采用先进的高压MOSFET工艺制造,旨在为常见的AC-DC应用提供高性能和高可靠性。该器件具备低RDS(ON)、Ciss和Crss,并保证了雪崩能力,因此可快速应用于新的和现有的离线电源设计中。该器件非常适合用于消费、电信、工业电源和LED背光的升压转换器和同步整流器。
商品特性
- 结温175 °C
- 沟槽功率MOSFET
- 材料分类：符合RoHS标准
- N沟道MOSFET