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GC3M0050330K
碳化硅场效应管(MOSFET) 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：3.3kV 连续漏极电流(Id)：60A
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- 描述
- 3300V/50mΩ，应用于SST固态变压器
- 品牌名称
- SUPSiC(国晶微半导体)
- 商品型号
- GC3M0050330K
- 商品编号
- C55454920
- 商品封装
- TO-247-4
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.556667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 3.3kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ |