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AGLN250V2-VQ100

Name: MICROCHIP(美国微芯) AGLN250V2-VQ100
Brand: MICROCHIP(美国微芯)
SKU: C5235443
Price: 170.15 CNY
Availability: OutOfStock

IGLOO nano低功耗闪存FPGA，具备Flash*Freeze技术

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描述: 特性：低功耗:纳瓦级功耗，行业最低。支持1.2V至1.5V核心电压，实现低功耗。支持单电压系统运行。低功耗主动FPGA运行。Flash*Freeze技术可在保持FPGA内容的同时实现超低功耗。易于进入和退出超低功耗Flash*Freeze模式
品牌名称: MICROCHIP(美国微芯)
商品型号: AGLN250V2-VQ100
商品编号: C5235443
商品封装: TQFP-100(14x14)
包装方式: 托盘
商品毛重: 0.51克(g)

商品参数

商品概述

IGLOO nano 低功耗闪存FPGA，带有Flash*Freeze技术

商品特性

支持1.2 V至1.5 V核心电压以实现低功耗
支持单电压系统操作
低功耗主动FPGA操作
Flash*Freeze技术实现超低功耗消耗，同时保持FPGA内容
轻松进入/退出超低功耗Flash*Freeze模式
尺寸小至3x3 mm
10,000至250,000系统门
高达36 kbits的真双端口SRAM
高达71个用户I/O
130纳米、7层金属、基于闪存的CMOS工艺
即时上电平0支持
单芯片解决方案
断电时保留编程设计
系统性能：250 MHz（1.5 V系统）和160 MHz（1.2 V系统）
使用片上128位高级加密标准（AES）解密通过JTAG进行在系统编程（符合IEEE 1532）
FlashLook设计用于保护FPGA内容
1.2 V编程
高性能路由层次结构
分段、分层路由和时钟结构高级I/O
1.2 V、1.5 V、1.8 V、2.5 V和3.3 V混合电压操作
银行可选I/O电压—每芯片高达4个银行
单端I/O标准：EV-FL2、EVMOSC
3.3 V / 2.5 V / 1.8 V / 1.5 V / 1.2 V
根据JESD8-B的宽范围电源电压支持，允许I/O在2.7 V至3.6 V下操作
根据JESD8-12的宽范围电源电压支持，允许I/O在1.14 V至1.575 V下操作
输入、输出和使能路径上的I/O寄存器
可选施密特触发器输入
热插拔和冷备用I/O
可编程下降摆率和驱动强度
弱上拉输出
IEEE 1149.1（JTAG）边界扫描测试
跨IGLOO系列的引脚兼容封装
高达六个CCC块，其中一个集成PLL
可配置相移、乘/除、延迟能力和外部反馈
宽输入频率范围（1.5 MHz至250 MHz）
1 kbit FlashROM用户非易失性存储器
具有可变纵横比4,608位RAM块（×1、×2、×4、×9和×18组织）的SRAM和FIFO
真双端口SRAM（除×18组织外）
增强商业温度范围：TJ = -20°C至+85°C

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	可编程逻辑器件(CPLD/FPGA)
	逻辑单元数	6144
	内嵌式块RAM(eRAM)	36864bit

	属性	参数值
	工作温度	-20℃~+85℃
	功能特性	支持热插拔；支持AES加密