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AGLN250V2-VQ100

Name: MICROCHIP(美国微芯) AGLN250V2-VQ100
Brand: MICROCHIP(美国微芯)
SKU: C5235443
Price: 170.15 CNY
Availability: OutOfStock

IGLOO nano低功耗闪存FPGA，具备Flash*Freeze技术

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描述: 特性：低功耗:纳瓦级功耗，行业最低。支持1.2V至1.5V核心电压，实现低功耗。支持单电压系统运行。低功耗主动FPGA运行。Flash*Freeze技术可在保持FPGA内容的同时实现超低功耗。易于进入和退出超低功耗Flash*Freeze模式
品牌名称: MICROCHIP(美国微芯)
商品型号: AGLN250V2-VQ100
商品编号: C5235443
商品封装: TQFP-100(14x14)
包装方式: 托盘
商品毛重: 0.51克(g)

商品参数

商品特性

微功耗：行业最低功耗，支持1.2 V至1.5 V核心电压以实现低功耗，支持单电压系统运行，FPGA运行功耗低，FlashFreeze技术可在保持FPGA内容的同时实现超低功耗，可轻松进入/退出超低功耗FlashFreeze模式
小尺寸封装：尺寸小至3×3 mm
功能丰富：拥有10,000至250,000个系统门，多达36 kbits的真双端口SRAM，多达71个用户I/O
可重编程闪存技术：采用130-nm、7层金属、基于闪存的CMOS工艺，支持即时启动0级，单芯片解决方案，断电时保留编程设计，系统性能在1.5 V系统下为250 MHz，在1.2 V系统下为160 MHz
系统内编程（ISP）和安全性：通过JTAG（符合IEEE 1532标准）使用片上128位高级加密标准（AES）解密进行ISP，FlashLook®设计用于保护FPGA内容，支持1.2 V编程
高性能路由层级：分段、分层路由和时钟结构，高级I/O支持1.2 V、1.5 V、1.8 V、2.5 V和3.3 V混合电压运行，每个芯片最多4个可选择的I/O电压组，单端I/O标准包括EV-FL2、EVMOSC - 3.3 V / 2.5 V / 1.8 V / 1.5 V / 1.2 V，根据JESD8 - B支持宽范围电源电压，允许I/O在2.7 V至3.6 V下运行，根据JESD8 - 12支持宽范围电源电压，允许I/O在1.14 V至1.575 V下运行，输入、输出和使能路径上有I/O寄存器，可选择施密特触发器输入，I/O支持热插拔和冷备用，可编程下降摆率和驱动强度，弱上拉输出，支持IEEE 1149.1（JTAG）边界扫描测试，IGLOO®系列封装引脚兼容
时钟调节电路（CCC）和PLL：多达6个CCC模块，其中一个集成PLL，可配置相移、乘法/除法、延迟功能和外部反馈，输入频率范围宽（1.5 MHz至250 MHz）
嵌入式内存：1 kbit的FlashROM用户非易失性内存，具有可变纵横比4,608位RAM块（×1、×2、×4、×9和×18结构）的SRAM和FIFO，真双端口SRAM（×18结构除外）
扩展商业温度范围：结温TJ = -20°C至+85°C

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	属性	参数值
	商品目录	可编程逻辑器件(CPLD/FPGA)
	逻辑单元数	6144
	内嵌式块RAM(eRAM)	36864bit

	属性	参数值
	工作温度	-20℃~+85℃
	功能特性	支持热插拔；支持AES加密