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FQD5N65(KTP)
场效应管(MOSFET)
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- 描述
- N-Channel沟道, VDS=650V,ID=5A，RDS(on)typ(@VGS=10V)=2.35mΩ
- 品牌名称
- KTP(科泰普)
- 商品型号
- FQD5N65(KTP)
- 商品编号
- C55337842
- 商品封装
- TO-252-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.46308克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.35Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 78W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 3.2nC | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 55pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±30V |
- BT151S-650R(KTP)
- BT131W-800D(KTP)
- 9"*9"/60克/300PCS/9H1
- XNFST46100
- 12.5Ah背包电池 800W
- GR-10KG
- 0.9m*15m*7mm
- 1m*1.8m
- 黑色 35-46
- ZA2373
- 400*300*200mm
- ME6232C12M5G
- MJ882-B111-HPPDL21
- PPE1C101M060500N
- CQ3216X7R106K500NRI
- 0.5*20P*60*A*3/3*4/4
- 0.5*34P*100*A*4/4*8/8
- 0.5*36P*50*A*4/4*8/8
- 0.5*38P*100*B*4/4*8/8
- 0.5*40P*100*A*3/3*4/4
- 0.5*45P*150*A*4/4*8/8