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BDR6307

半桥驱动芯片 600V

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描述: 600V半桥栅极驱动芯片，应用于大功率步进电机或直流无刷电机驱动
品牌名称: 巴丁微
商品型号: BDR6307
商品编号: C5221454
商品封装: SOP-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.2克(g)

商品参数

商品概述

BDR6307是一款高速高压（600V）驱动器，用于在半桥系统中控制MOS晶体管或IGBT等功率器件，其高低侧输出通道相互关联。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，最低可支持3.3V逻辑。该器件包含一个具有迟滞特性的欠压检测单元，当栅极电压裕量不足时，可防止功率器件产生大量传导损耗。输出驱动器具有一个高脉冲电流缓冲级，旨在最大程度减少驱动器的交叉导通。浮动通道可用于在高达600V的高端配置中驱动N沟道功率MOSFET或IGBT。它在引脚和输入极性方面与IR2101兼容。

商品特性

驱动两个IGBT/MOSFET功率器件
高端通道可在高达+600V的电压下完全工作
每个通道的栅极驱动电源范围为10V至20V
欠压锁定
先进的输入滤波器
内置死区时间保护：0.5μs
|O+/-|：290/620mA，大源电流可绕过米勒效应
直通（交叉导通）保护
3.3V/5V/15V输入逻辑兼容
所有通道的传播延迟匹配
死区时间匹配
高端输出与HIN输入同相
低端输出与LIN输入同相
耐受负瞬态电压，dv/dt抗扰度高达50V/ns
低di/dt栅极驱动，具有更好的抗噪性
工作温度范围为-40℃至125℃
提供SOP8L封装
无铅

应用领域

家电电机驱动 - 空调、洗衣机、冰箱、洗碗机、风扇
通用逆变器
电动自行车、电动工具
照明、开关电源

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	半桥
	负载类型	MOSFET；IGBT
	驱动通道数	2
	灌电流(IOL)	290mA
	拉电流(IOH)	620mA
	工作电压	10V~20V

	属性	参数值
	上升时间(tr)	70ns
	下降时间(tf)	32ns
	传播延迟 tpLH	500ns
	传播延迟 tpHL	500ns
	特性	欠压保护(UVP)；短路保护(SCP)
	工作温度	-40℃~+125℃
	静态电流(Iq)	250uA