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STS8N6LF6AG实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

STS8N6LF6AG

1个N沟道 耐压:60V 电流:8A

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描述
汽车级N沟道60 V、21 mOhm典型值、8 A STripFET F6功率MOSFET,SO-8封装
商品型号
STS8N6LF6AG
商品编号
C5221400
商品封装
SO-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.153克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)8A
导通电阻(RDS(on))24mΩ@10V
耗散功率(Pd)3.2W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2.5V@250uA
栅极电荷量(Qg)27nC@10V
输入电容(Ciss)1.34nF@25V
反向传输电容(Crss)60pF@25V
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道

商品特性

  • 高速功率平滑切换
  • 增强型体二极管 dv/dt 能力
  • 增强型雪崩耐用性
  • 100% 非钳位感性开关(UIS)测试,100% 栅极电阻(Rg)测试
  • 无铅

应用领域

  • 开关电源(SMPS)中的同步整流
  • 硬开关和高速电路
  • 电动工具
  • 不间断电源(UPS)
  • 电机控制

数据手册PDF