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SIR668ADP-T1-RE3
N沟道，100 V（D-S）MOSFET
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- 描述
- 特性：TrenchFET Gen IV power MOSFET。 非常低的RDS-Qg品质因数（FOM）。 针对最低的RDS-Qoss FOM进行调整。 100%进行Rg和UIS测试。应用：同步整流。 初级侧开关
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIR668ADP-T1-RE3
- 商品编号
- C5220834
- 商品封装
- PowerPAKSO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 93.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 104W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 42nC@7.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.75nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 18pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 395pF |
商品概述
这款MOSFET专为满足汽车应用的严苛要求而设计。它符合AEC - Q101标准，有生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于DC - DC转换器、电源管理功能、电池供电系统和固态继电器，以及继电器、螺线管、灯具、锤击器、显示器、存储器、晶体管等驱动器。
商品特性
- TrenchFET第四代功率MOSFET
- 极低的RDS - Qg品质因数(FOM)
- 针对最低RDS - Qoss品质因数进行优化
- 100%进行Rq和UIS测试
应用领域
- 同步整流
- 初级侧开关
- DC/DC转换器
- 或门功能
- 电源
- 电机驱动控制
- 电池和负载开关
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