TPS53317ARGBR

TPS53317A器件是一款集成FET的同步降压稳压器，主要为DDR端接设计。它可以在½ V_DDQ下提供稳压输出，具备吸收和源出电流的能力。TPS53317A器件采用D - CAP+模式操作，使用方便，外部元件数量少，瞬态响应快。该器件还可用于其他需要高达6 A电流的负载点（POL）调节应用。此外，该器件支持全6 A输出吸收电流能力，并具有严格的电压调节。

该器件具有两种开关频率设置（600 kHz和1 MHz）、集成下垂支持、外部跟踪能力、预偏置启动、输出软放电、集成自举开关、电源良好功能、V5IN引脚欠压锁定（UVLO）保护，并支持陶瓷和SP/POSCAP电容器。它支持高达6.0 V的输入电压，输出电压可在0.45 V至2.0 V之间调节。

TPS53317A器件采用3.5 mm × 4 mm、20引脚的VQFN封装（符合绿色RoHs标准且无铅），采用德州仪器（TI）专有的集成MOSFET和封装技术，工作温度范围为–40°C至85°C。

• 德州仪器专有的集成MOSFET和封装技术，支持DDR内存端接，连续输出源电流或吸收电流高达6 A
• 外部跟踪
• 最少的外部元件数量
• 0.9 V至6 V的转换电压
• D - CAP+模式架构，支持所有多层陶瓷电容（MLCC）输出电容器和SP/POSCAP
• 可选的跳过模式或强制连续导通模式（CCM）
• 轻载和重载下的优化效率
• 可选的600 kHz或1 MHz开关频率
• 可选的过流限制（OCL）
• 过压、过温和打嗝式欠压保护
• 输出电压可在0.45 V至2 V之间调节
• 3.5 mm × 4 mm、20引脚的VQFN封装

• DDR、DDR2、DDR3、DDR3L和DDR4的内存端接稳压器
• VTT端接
• 0.9 V至6 V输入轨的低压应用